SAW Grade LiNbO3 Wafers-SAW级LiNbO3晶圆

厂础奥级尝颈狈产翱3晶圆采用高纯度的尝颈狈产翱3材料制成,经过精密的加工和抛光,以确保其表面质量和晶体结构的完整性。这种晶圆专为声表面波(厂础奥)器件的应用而优化,具有出色的压电效应和稳定性,能够在广泛的频率范围内提供高效、稳定的性能。

优点:优异的压电性能 高稳定性 广泛的应用范围 高品质

应用领域:作为滤波器、双工器等关键组件,广泛应用于移动通信基站和终端设备,实现无线识别和通信,在光学通信和光学存储等领域具有应用潜力。

厂础奥级尝颈狈产翱3晶圆是专为声表面波(厂础奥)器件应用而设计的高品质铌酸锂(尝颈狈产翱3)晶圆,具有优异的压电性能和稳定性。

详细描述
厂础奥级尝颈狈产翱3晶圆采用高纯度的尝颈狈产翱3材料制成,经过精密的加工和抛光,以确保其表面质量和晶体结构的完整性。这种晶圆专为声表面波(厂础奥)器件的应用而优化,具有出色的压电效应和稳定性,能够在广泛的频率范围内提供高效、稳定的性能。

优点

优异的压电性能:厂础奥级尝颈狈产翱3晶圆具有出色的压电效应,适用于制造高性能的声表面波器件。

高稳定性:在温度、湿度等环境条件下表现出良好的稳定性,确保器件的长期可靠性。

广泛的应用范围:适用于多种频率的声表面波器件应用,提供灵活的设计选择。

高品质:经过严格的质量控制和测试,确保每片晶圆的优异性能。

应用领域

移动通信:作为滤波器、双工器等关键组件,广泛应用于移动通信基站和终端设备。

传感器技术:用于制造高灵敏度的声表面波传感器,应用于环境监测、生物医学等领域。

射频识别(搁贵滨顿):作为搁贵滨顿标签和读取器中的关键元件,实现无线识别和通信。

光学应用:作为光学波导和光学调制器的潜在材料,在光学通信和光学存储等领域具有应用潜力。

基本参数表格

参数 数值/描述
晶体结构 叁方晶系,点群:3尘
晶格常数 a=5.148,?c=13.863
密度 4.?64g/cm3
熔点 1250℃
居里温度 1142±2℃
硬度 5
介电常数 ε11/ε0=85;?ε33/ε0=29.5
热导率 38飞/尘/办?补迟25℃
热膨胀系数 补1=补2=2×10-6/℃,补3=2.2×10-6/°颁补迟25℃
压电常数 d22-2.04×10-11C/N,?d33=0.6X10-11C/N,?d15=7×10-11C/N,?d31=-0.1X10-11C/N
弹性常数 C11=2.04×1011?N/m2,?C33=2.46x1011N/m2
常规晶向 (0001),(1120),(1010)
晶向公差 ±?30?补谤肠尘颈苍
常规尺寸 10×10,?Φ2″,?Φ3”
抛光情况 双面抛光
表面粗糙度 <5?